新型UHV/CVD系统及器件级薄外延层生长

成果摘要：
项目组自行设计研制成的UHV/CVD-Ⅱ设备采用三室一体结构，生长室本底真空4.5×10^(-8)Pa，预处理室真空1.2×10^(-7)Pa，进样室真空达1.0×10^(-4)Pa，真空度指标为国际领先水平。发展了UHV/CVD低温外延技术，生长出优质厚度0.2～1μm硅外延层，使用该材料研制成器件性能良好硅高频肖特基二极管；生长出优质SiGe/Si，SiGeC/Si，锗量子点和锗纳米线等。该技术已推广应用，打破了该类设备依赖进口的被动局面，促进了中国UHV/CVD低温外延技术发展和新型薄膜材料与器件制备，社会、经济效益显著。成果处于国内领先，达到国际先进水平。